元器件采购网 > V-3094页 > FET - 阵列VWM200-01P
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VWM200-01P

V2-PAK IXYS 168
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VWM200-01P参数
产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列
说明:MODULE VWM 6PACK 210A 100V V2
包装数量:5
包装形式:散装
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FET 型:6 N-沟道(3 相桥)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:210A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5.2 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 2mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:430nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:-
安装类型:通孔

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